NS8JT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NS8JT-E3/45
| Artikelnummer: | NS8JT-E3/45 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1000+ | $0.4259 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division NS8JT-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NS8JT-E3/45.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-220AC Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer NS8 NS8JT-E3/45 Einzelheiten PDF [English] NS8JT-E3/45 PDF - EN.pdf -
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